考試大綱不僅能給你一個復習的方向，還能幫助你梳理整個知識脈絡，方便記憶。今天，小編為大家整理了“2023考研大綱：湘潭大學2023年招收攻讀碩士學位研究生《集成電路工藝原理》考試大綱”的相關內(nèi)容，希望對大家有所幫助！
（010011）集成電路工藝原理大綱明細
考試大綱
《集成電路工藝原理》考試大綱
一、適用專業(yè)：
電子信息（集成電路工程）
二、參考教材：
無
三、總體要求：
1，了解集成電路工藝的發(fā)展規(guī)律；
2，理解集成電路每一個工藝過程；
3，掌握集成電路制造各道工序的原理和方法；
4，熟悉集成電路制造的主要參數(shù)和檢測方法。
四、主要內(nèi)容：
1，了解集成電路發(fā)展簡史和集成電路工藝的發(fā)展規(guī)律；了解二極管的制造工藝流程；理解硅的晶體結構及其物理特性；熟悉硅片的制作工藝流程。
2，了解SiO2的結構及性質(zhì)；理解SiO2對雜質(zhì)的掩蔽是相對性的原因，以及掩蔽層厚度的計算方法；理解硅氧化過程的基本原理，會根據(jù)熱氧化生長動力學計算氧化層厚度與氧化時間的關系；了解影響氧化速率的各種因素；了解Si-SiO2界面特性。
3，掌握間隙式擴散和替位式擴散的異同；理解菲克第一定律和菲克第二定律（擴散方程）；掌握恒定表面源擴散和有限表面源擴散的異同，以及兩種擴散方式下雜質(zhì)在硅襯底當中的雜質(zhì)分布形式和特點；了解常規(guī)擴散工藝的設備原理；了解結深和方塊電阻的測量方法。
4，掌握核碰撞和電子碰撞的異同，以及注入離子能量三個區(qū)域中的主導阻止機制；理解注入離子在無定形靶中的分布形式和特點；了解晶格損傷的分類；了解硅材料的熱退火特性，理解熱退火過程中的擴散效應；了解離子注入設備的構成和基本原理。
5，掌握真空蒸發(fā)法制備薄膜的基本原理；了解各類蒸發(fā)源及它們的應用場合；了解CVD技術的分類和工藝特點；掌握CVD的Grove模型，理解影響CVD薄膜生長速率的因素；了解常壓CVD、低壓CVD和等離子體增強CVD的特點和適用場合。
6，了解外延的概念和分類；了解電阻率測量方法；了解光刻工藝流程的各個步驟及作用；掌握正性和負性光刻膠的異同，了解光刻膠的性能指標；理解和掌握各類光學曝光和非光學曝光技術的特點和影響它們分辨率的主要因素；了解濕法腐蝕和干法刻蝕的特點。
參考書
無
原文標題：湘潭大學2023年招收攻讀碩士學位研究生考試大綱
原文鏈接：https://yzbm.xtu.edu.cn/zsml/ssksdg/index/2023
以上就是小編整理“2023考研大綱：湘潭大學2023年招收攻讀碩士學位研究生《集成電路工藝原理》考試大綱”的全部內(nèi)容，想了解更多考研復試大綱信息，請持續(xù)關注本網(wǎng)站！
