考試大綱不僅能給你一個(gè)復(fù)習(xí)的方向，還能幫助你梳理整個(gè)知識(shí)脈絡(luò)，方便記憶。今天，小編為大家整理了“2023考研大綱：湘潭大學(xué)2023年招收攻讀碩士學(xué)位研究生《半導(dǎo)體物理（二）》考試大綱”的相關(guān)內(nèi)容，希望對(duì)大家有所幫助！
（010010）半導(dǎo)體物理（二）大綱明細(xì)
考試大綱
《半導(dǎo)體物理(二)》考試大綱
一、考試對(duì)象
修完該課程所規(guī)定內(nèi)容的本科學(xué)生。
二、考試目的
考核學(xué)生對(duì)半導(dǎo)體物理課程知識(shí)的掌握程度，內(nèi)容包括：包括半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)、電子狀態(tài)、雜質(zhì)和缺陷能級(jí)的形成以及對(duì)半導(dǎo)體性能的影響；載流子的統(tǒng)計(jì)分布及其運(yùn)動(dòng)規(guī)律；P-N結(jié)和異質(zhì)結(jié)理論、金屬半導(dǎo)體接觸；半導(dǎo)體表面及半導(dǎo)體的光電特性?？疾檎莆瞻雽?dǎo)體基礎(chǔ)理論的程度和運(yùn)用半導(dǎo)體理論解決實(shí)際問(wèn)題的能力。
三、考試內(nèi)容和要求
第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)
考試內(nèi)容
半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)有效質(zhì)量本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)空穴
考試要求
1、了解半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)。
2、認(rèn)識(shí)能帶、有效質(zhì)量、空穴等基本概念，認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)制；
第二章半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)
考試內(nèi)容
硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)電離能類氫模型
考試要求
1、理解淺雜質(zhì)能級(jí)（施主和受主）和深能級(jí)雜質(zhì)的性質(zhì)和作用；
2、了解常見的淺能級(jí)雜質(zhì)，類氫原子模型評(píng)估電離能；
第三章半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
考試內(nèi)容
狀態(tài)密度費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布本征半導(dǎo)體的載流子濃度雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布簡(jiǎn)并半導(dǎo)體
考試要求
1、熟練掌握課本中所闡明的基本概念及其相互關(guān)系，掌握電子和空穴濃度基本公式；
2、理解玻爾茲曼分布和費(fèi)米分布的聯(lián)系和區(qū)別；
3、計(jì)算和討論在各種不同雜質(zhì)濃度和不同溫下的費(fèi)米能級(jí)位置和載流子濃度；
4、理解簡(jiǎn)并半導(dǎo)體和非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的概念。
第四章半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
考試內(nèi)容
載流子的漂移運(yùn)動(dòng)遷移率載流子的散射遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
考試要求
1、了解幾種主要散射機(jī)構(gòu)的機(jī)理，認(rèn)識(shí)散射幾率與雜質(zhì)濃度及溫度的關(guān)系；
2、明確遷移率的基本概念及其決定因素；
3、認(rèn)識(shí)遷移率、電導(dǎo)率、電阻率與雜質(zhì)濃度及溫度的關(guān)系；
第五章非平衡載流子
考試內(nèi)容
非平衡載流子的注入與復(fù)合非平衡載流子的壽命準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)復(fù)合理論
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)，愛(ài)因斯坦關(guān)系式連續(xù)性方程式
考試要求
1、牢固掌握非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合、擴(kuò)散等運(yùn)動(dòng)規(guī)律；
2、理解準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的概念；
3、理解半導(dǎo)體載流子的復(fù)合機(jī)制；
4、理解載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)的規(guī)律，認(rèn)識(shí)愛(ài)因斯坦關(guān)系式；
5、深入的理解并能靈活應(yīng)用電流密度方程和連續(xù)性方程解決實(shí)際問(wèn)題。
第六章P-N結(jié)
考試內(nèi)容
P-N結(jié)及其能帶圖理想P-N結(jié)電流電壓特性影響偏離理想P-N結(jié)電流電壓特性的因素P-N結(jié)電容P-N結(jié)擊穿P-N結(jié)隧道效應(yīng)
考試要求
1、掌握內(nèi)建電勢(shì)差的分析與計(jì)算；
2、掌握理想PN結(jié)電流-電壓關(guān)系的定量分析方法及結(jié)論；
3、理解產(chǎn)生-復(fù)合效應(yīng)、大注入效應(yīng)對(duì)P-N結(jié)電流電壓特性的影響規(guī)律；
4、掌握空間電荷區(qū)的電場(chǎng)強(qiáng)度與電勢(shì)的分布規(guī)律；
5、擴(kuò)算電容和勢(shì)壘電容的概念及它們的決定因素；
6、了解PN結(jié)擊穿的三種形式和擊穿特性與條件。
第七章金屬和半導(dǎo)體的接觸
考試內(nèi)容
金屬半導(dǎo)體接觸及其能級(jí)圖金屬半導(dǎo)體接觸整流理論少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸
考試要求
1、深入理解理想和實(shí)際的金—半接觸能帶圖；
2、認(rèn)識(shí)表面態(tài)對(duì)接觸勢(shì)壘的影響；
3、了解金屬和半導(dǎo)體接觸電流傳輸理論的擴(kuò)散模型和熱電子發(fā)射模型的建立，應(yīng)用和推導(dǎo)；
4、肖特基勢(shì)壘二極管的基本特性和小子注入的概念；
5、掌握實(shí)現(xiàn)良好歐姆接觸和整流接觸的原理和方法。
第八章半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)
考試內(nèi)容
表面態(tài)表面電場(chǎng)效應(yīng)MIS結(jié)構(gòu)的電容—電壓特性硅—二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)
考試要求
1、理解理想MIS結(jié)構(gòu)的表面電場(chǎng)效應(yīng)；
2、認(rèn)識(shí)MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性曲線及非理想情況下的C-V函數(shù)的變化規(guī)律；
3、理解不同偏壓下的C-V特性關(guān)系及電容值的變化；
4、詳細(xì)了解Si-SiO2系統(tǒng)的性質(zhì)；
5、了解表面電導(dǎo)及遷移率。
第九章異質(zhì)結(jié)
考試內(nèi)容
異質(zhì)結(jié)及其能帶圖
考試要求
1、掌握各種理想異質(zhì)結(jié)能帶圖的畫法；
六、試卷設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)
1內(nèi)容比例：晶體半導(dǎo)體的基本知識(shí)和性質(zhì)及半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)(10%)，半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布、導(dǎo)電性（20%），非平衡載流子（15%），P-N結(jié)、金屬和半導(dǎo)體的接觸以及半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)（50%）異質(zhì)結(jié)（5%）
2題型比例：試卷結(jié)構(gòu)為填空題15%、簡(jiǎn)答題55%、計(jì)算與證明30%。
參考書
無(wú)
原文標(biāo)題：湘潭大學(xué)2023年招收攻讀碩士學(xué)位研究生考試大綱
原文鏈接：https://yzbm.xtu.edu.cn/zsml/ssksdg/index/2023
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