考試大綱不僅能給你一個復(fù)習的方向，還能幫助你梳理整個知識脈絡(luò)，方便記憶。今天，小編為大家整理了“2023考研大綱：湘潭大學2023年招收攻讀碩士學位研究生《半導體物理（一）》考試大綱”的相關(guān)內(nèi)容，希望對大家有所幫助！
（010008）半導體物理（一）大綱明細
考試大綱
《半導體物理(一)》考試大綱
一、考試對象
修完該課程所規(guī)定內(nèi)容的本科學生。
二、考試目的
考核學生對半導體物理課程知識的掌握程度，內(nèi)容包括：包括半導體晶體結(jié)構(gòu)、電子狀態(tài)、雜質(zhì)和缺陷能級的形成以及對半導體性能的影響；載流子的統(tǒng)計分布及其運動規(guī)律；P-N結(jié)和異質(zhì)結(jié)理論、金屬半導體接觸；半導體表面及半導體的光電特性?？疾檎莆瞻雽w基礎(chǔ)理論的程度和運用半導體理論解決實際問題的能力。
三、考試內(nèi)容和要求
第一章半導體中的電子狀態(tài)
考試內(nèi)容
半導體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)半導體中的電子狀態(tài)和能帶半導體中電子的運動有效質(zhì)量本征半導體的導電機構(gòu)空穴
考試要求
1、了解半導體中的電子狀態(tài)。
2、認識能帶、有效質(zhì)量、空穴等基本概念，認識半導體的導電機制；
3、了解主要半導體材料的能帶結(jié)構(gòu)。
第二章半導體中雜質(zhì)和缺陷能級
考試內(nèi)容
硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級電離能類氫模型III-V族化合物中的雜質(zhì)能級缺陷位錯能級
考試要求
1、理解淺雜質(zhì)能級（施主和受主）和深能級雜質(zhì)的性質(zhì)和作用；
2、了解常見的淺能級雜質(zhì)，類氫原子模型評估電離能；
3、了解缺陷、位錯能級的特點和作用。
第三章半導體中載流子的統(tǒng)計分布
考試內(nèi)容
狀態(tài)密度費米能級和載流子的統(tǒng)計分布本征半導體的載流子濃度雜質(zhì)半導體的載流子濃度一般情況下的載流子統(tǒng)計分布簡并半導體
考試要求
1、熟練掌握課本中所闡明的基本概念及其相互關(guān)系，掌握電子和空穴濃度基本公式；
2、理解玻爾茲曼分布和費米分布的聯(lián)系和區(qū)別；
3、計算和討論在各種不同雜質(zhì)濃度和不同溫下的費米能級位置和載流子濃度；
4、理解簡并半導體和非簡并半導體的概念。
第四章半導體的導電性
考試內(nèi)容
載流子的漂移運動遷移率載流子的散射遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系強電場下的效應(yīng)熱載流子
考試要求
1、了解幾種主要散射機構(gòu)的機理，認識散射幾率與雜質(zhì)濃度及溫度的關(guān)系；
2、明確遷移率的基本概念及其決定因素；
3、認識遷移率、電導率、電阻率與雜質(zhì)濃度及溫度的關(guān)系；
4、能對半導體在強電場下的效應(yīng)及耿氏效應(yīng)進行定性解釋。
第五章非平衡載流子
考試內(nèi)容
非平衡載流子的注入與復(fù)合非平衡載流子的壽命準費米能級復(fù)合理論
載流子的擴散運動載流子的漂移運動，愛因斯坦關(guān)系式連續(xù)性方程式
考試要求
1、牢固掌握非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合、擴散等運動規(guī)律；
2、理解準費米能級的概念；
3、理解半導體載流子的復(fù)合機制；
4、理解載流子的擴散運動和漂移運動的規(guī)律，認識愛因斯坦關(guān)系式；
5、深入的理解并能靈活應(yīng)用電流密度方程和連續(xù)性方程解決實際問題。
第六章P-N結(jié)
考試內(nèi)容
P-N結(jié)及其能帶圖理想P-N結(jié)電流電壓特性影響偏離理想P-N結(jié)電流電壓特性的因素P-N結(jié)電容P-N結(jié)擊穿P-N結(jié)隧道效應(yīng)
考試要求
1、掌握內(nèi)建電勢差的分析與計算；
2、掌握理想PN結(jié)電流-電壓關(guān)系的定量分析方法及結(jié)論；
3、理解產(chǎn)生-復(fù)合效應(yīng)、大注入效應(yīng)對P-N結(jié)電流電壓特性的影響規(guī)律；
4、掌握空間電荷區(qū)的電場強度與電勢的分布規(guī)律；
5、擴算電容和勢壘電容的概念及它們的決定因素；
6、了解PN結(jié)擊穿的三種形式和擊穿特性與條件。
第七章金屬和半導體的接觸
考試內(nèi)容
金屬半導體接觸及其能級圖金屬半導體接觸整流理論少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸
考試要求
1、深入理解理想和實際的金—半接觸能帶圖；
2、認識表面態(tài)對接觸勢壘的影響；
3、了解金屬和半導體接觸電流傳輸理論的擴散模型和熱電子發(fā)射模型的建立，應(yīng)用和推導；
4、理解鏡像力和隧道效應(yīng)對屬和半導體接觸整流理論的影響；
5、肖特基勢壘二極管的基本特性和小子注入的概念；
6、掌握實現(xiàn)良好歐姆接觸和整流接觸的原理和方法。
第八章半導體表面與MIS結(jié)構(gòu)
考試內(nèi)容
表面態(tài)表面電場效應(yīng)MIS結(jié)構(gòu)的電容—電壓特性硅—二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)
考試要求
1、理解理想MIS結(jié)構(gòu)的表面電場效應(yīng)；
2、認識MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性曲線及非理想情況下的C-V函數(shù)的變化規(guī)律；
3、理解不同偏壓下的C-V特性關(guān)系及電容值的變化；
4、詳細了解Si-SiO2系統(tǒng)的性質(zhì)；
5、了解表面電導及遷移率。
第九章異質(zhì)結(jié)
考試內(nèi)容
異質(zhì)結(jié)及其能帶圖異質(zhì)結(jié)的電流輸運機構(gòu)異質(zhì)結(jié)在器件中的應(yīng)用半導體超晶格
考試要求
1、熟練掌握各種理想異質(zhì)結(jié)能帶圖的畫法；
2、了解異質(zhì)結(jié)幾種電流傳輸模型；
3、初步了解對半導體超晶格。
第十章半導體的光學性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象
考試內(nèi)容
半導體的光學常數(shù)半導體的光吸收半導體的光電導半導體的光生伏特效應(yīng)半導體發(fā)光半導體激光
考試要求
1、掌握半導體的光學性質(zhì)及各種光電效應(yīng)；
2、了解光敏器件、光電池、發(fā)光管和激光器的原理。
六、試卷設(shè)計結(jié)構(gòu)
1內(nèi)容比例：晶體半導體的基本知識和性質(zhì)及半導體中雜質(zhì)和缺陷能級(10%)，半導體中載流子的統(tǒng)計分布、導電性（15%），非平衡載流子（15%），P-N結(jié)、金屬和半導體的接觸以及半導體表面與MIS結(jié)構(gòu)（50%）異質(zhì)結(jié)與半導體光電性質(zhì)（10%）
2題型比例：試卷結(jié)構(gòu)為填空題15%、簡答題55%、計算與證明30%。
參考書
無
原文標題：湘潭大學2023年招收攻讀碩士學位研究生考試大綱
原文鏈接：https://yzbm.xtu.edu.cn/zsml/ssksdg/index/2023
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